MMBTA92-G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMBTA92-G  📄📄 

Código: 2D

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-23

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MMBTA92-G datasheet

 ..1. Size:150K  comchip
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MMBTA92-G

General Purpose Transistor MMBTA92-G (PNP) RoHS Device Features SOT-23 0.119(3.00) -High voltage transistor. 0.110(2.80) 3 0.056(1.40) 0.047(1.20) Diagram 1 2 0.079(2.00) Collector 0.071(1.80) 3 0.006(0.15) 0.003(0.08) 1 0.041(1.05) 0.100(2.550) Base 0.035(0.90) 0.089(2.250) 2 0.004(0.10) max Emitter 0.020(0.50) 0.020(0.50) 0.012(0.30) 0.012(0.30) Dimensions in

 6.1. Size:591K  panjit
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MMBTA92-G

 6.2. Size:3925K  msksemi
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MMBTA92-G

www.msksemi.com MMBTA92-MS Semiconductor Compiance Semiconductor Compiance TRANSISTOR (PNP) FEATURES High voltage transistor 1. BASE 2. EMITTER SOT 23 MARKING 2D 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -300 V VCEO Collector-Emitter Voltage -300 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collecto

 6.3. Size:532K  cn yfw
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MMBTA92-G

MMBTA92 SOT-23 PNP Transistors 3 2 1.Base Features 2.Emitter 1 3.Collector High voltage transistor Low collector-emitter saturation voltage Simplified outline(SOT-23) Complementary to MMBTA42 (NPN) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -300 Collector - Emitter Voltage VCEO -300 V Emitter

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