PUML1_DG Todos los transistores

 

PUML1_DG . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PUML1_DG
   Código: PA*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 210
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 
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PUML1_DG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  philips
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PUML1_DG

PUML1/DG50 V, 200 mA NPN general-purpose transistor/100 mA NPN resistor-equipped transistorRev. 01 14 July 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN general-purpose transistor and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in oneSOT363 (SC-88) very small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Features General-purpose transistor: 200 mA col

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PUML1_DG

PUML1/DG50 V, 200 mA NPN general-purpose transistor/100 mA NPN resistor-equipped transistorRev. 01 14 July 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN general-purpose transistor and NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) in oneSOT363 (SC-88) very small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Features General-purpose transistor: 200 mA col

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