DDTA122LE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DDTA122LE  📄📄 

Código: P81

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 0.22 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.022

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 56

Encapsulados: SOT-523

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DDTA122LE datasheet

 ..1. Size:220K  diodes
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DDTA122LE

 6.1. Size:159K  diodes
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DDTA122LE

DDTA (LO-R1) U DDTA (LO-R1) U PNP PRE-BIASED 100 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A SOT-323 Complementary NPN Types Available (DDTC) Dim Min Max 3 OUT Built-In Biasing Resistors A 0.25 0.40 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) B 1.15 1.35 B C "Green" Device (Note 3 & 4) C 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.65 Nomi

 7.1. Size:220K  diodes
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DDTA122LE

 7.2. Size:159K  diodes
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DDTA122LE

DDTA (LO-R1) U DDTA (LO-R1) U PNP PRE-BIASED 100 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A SOT-323 Complementary NPN Types Available (DDTC) Dim Min Max 3 OUT Built-In Biasing Resistors A 0.25 0.40 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) B 1.15 1.35 B C "Green" Device (Note 3 & 4) C 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.65 Nomi

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