DDTB123YC . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DDTB123YC
   Código: P66
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.22

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 56
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar DDTB123YC

DDTB123YC Datasheet (PDF)

..1. Size:163K diodes
ddtb123yc.pdf

DDTB (xxxx) C PNP PRE-BIASED 500 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Epitaxial Planar Die Construction A Complementary NPN Types Available (DDTD) SOT-23 Built-In Biasing Resistors, R1, R2 Dim Min Max Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant TOP VIEWB C"Green" Device (Notes 2 and 3) A 0

6.1. Size:165K diodes
ddtb123yu.pdf

DDTB (xxxx) UDDTB (xxxx) U PNP PRE-BIASED 500 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction SOT-323 A Complementary NPN Types Available (DDTD) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors, R1, R2 A 0.25 0.40 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) B 1.15 1.35 "Green" Device (Note 3 and 4) B CC 2.00 2.20 Mechanical Data D 0.65 Nom

7.1. Size:163K diodes
ddtb123ec.pdf