DDTD142JC . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DDTD142JC
   Código: N76
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 0.47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 56
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar DDTD142JC

DDTD142JC Datasheet (PDF)

..1. Size:164K diodes
ddtd142jc.pdf

DDTD (LO-R1) C NPN PRE-BIASED 500 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Epitaxial Planar Die Construction ASOT-23 Complementary PNP Types Available (DDTB) Dim Min Max Built-In Biasing Resistors A 0.37 0.51 Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant TOP VIEW B CB 1.20 1.40 "Green" Device (No

6.1. Size:163K diodes
ddtd142ju.pdf

DDTD (LO-R1) U NPN PRE-BIASED 500 mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features Epitaxial Planar Die Construction A Complementary PNP Types Available (DDTB) SOT-323 Built-In Biasing Resistors Dim Min Max Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) A 0.25 0.40 "Green" Device, Note 3 and 4 B CB 1.15 1.35 Mechanical Data C 2.00 2.20 Case: SOT-323 D 0.65 Nominal

7.1. Size:163K diodes
ddtd142tu.pdf