DRA2144E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DRA2144E

Código: LL

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: MINI3-G3-B

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DRA2144E datasheet

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DRA2144E

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA2144T Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits Complementary to DRC2144T Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini3-G3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component c

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