DRC5643T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DRC5643T
Código: TU
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SMINI3-F2-B
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar DRC5643T
DRC5643T Datasheet (PDF)
drc5643t.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRC5643TSilicon NPN epitaxial planar typeFor digital circuits / mutingDRC2643T in SMini3 type package Features Package Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction Code Eco-friendly Halogen-free package SMini3-F2-B Pin Name Packaging 1: Base 2: EmitterEmbossed type (The
drc5614t.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DRC5614TSilicon NPN epitaxial planar typeFor digital circuits / mutingDRC2614T in SMini3 type package Features Package Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Code Eco-friendly Halogen-free package SMini3-F2-B Pin Name Packaging 1: BaseEmbossed type (Therm
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Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050