DTC114EA3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTC114EA3

Código: DTC114E

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO-92

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DTC114EA3 datasheet

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Spec. No. C351A3 Issued Date 2003.08.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2003.09.29 Page No. 1/6 NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) DTC114EA3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors wi

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC114EU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Product specification Supersedes data of 1998 Nov 26 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC114EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design

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