EMA3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMA3
Código: A3
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 250 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: SC-107BB
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EMA3 datasheet
ema3 uma3n fma3a uma3n.pdf
EMA3 / UMA3N / FMA3A Transistors Emitter common (dual digital transistors) EMA3 / UMA3N / FMA3A Features External dimensions (Unit mm) 1) Two DTA143Ts in a EMT or UMT or SMT package. EMA3 2) Mounting cost and area can be cut in half. (4) (3) (2) (5) (1) 1.2 1.6 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor (Built-in Each lead has same dimensions resistor
ema3.pdf
EMA3 / UMA3N / FMA3A Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT5 UMT5 Parameter Tr1 and Tr2 (3) (5) (2) (1) (4) VCEO -50V (1) (4) (2) IC(MAX.) -100mA (3) (5) R1 4.7kW EMA3 UMA3N (SC-107BB) SOT-353 (SC-88A) SMT5 (1) lFeatures (2) (5) 1) Built-In Biasing Resistors. (4) (3) 2) Two DTA143T chip
chema3gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMA3GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-553) SOT553 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. (4) (3) * High saturation current
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