EMD62 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMD62
Código: D62
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SC-107C
Búsqueda de reemplazo de EMD62
EMD62 Datasheet (PDF)
emd62.pdf

EMD62DatasheetComplex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter Value EMT6VCC50VIC(MAX.)100mA R147kEMD62R2 (SC-107C)47k Parameter ValueVCC-50VIC(MAX.)-100mAR147kR247klFeatures lInner circuitl l
Otros transistores... EMD4DXV6T5G , EMD5 , EMD52 , EMD53 , EMD59 , EMD5DXV6 , EMD5DXV6T5G , EMD6 , C1815 , EMD6FHA , EMD72 , EMD9 , EMD9FHA , EMF18XV6 , EMF18XV6T5 , EMF18XV6T5G , EMF5XV6 .
History: 2N5816 | 2N2773



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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