EMH6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMH6

Código: H6

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 68

Encapsulados: SC-107C

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EMH6 datasheet

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EMH6

EMH6 / UMH6N / IMH6A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH6 / UMH6N / IMH6A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTC144E chips in a EMT or UMT or SMT EMH6 package. ( ) ( ) 4 3 ( ) ( ) 5 2 ( ) ( ) 6 1 1.2 Equivalent circuit 1.6 EMH6 / UMH6N IMH6A (3) (2) (1) (4) (5) (6) R1 R1 ROHM EMT6 Each lead has same dimensions R2 R2 R2 R2

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EMH6

EMH6 / UMH6N / IMH6A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCC 50V (5) (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) 100mA (2) (2) (3) (3) R1 47kW EMH6 UMH6N R2 (SC-107C) 47kW SOT-353 (SC-88) SMT6 (4) lFeatures (5) (6) 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2

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EMH6

EMH60 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter DTr1 and DTr2 EMT6 VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 2.2k EMH60 R2 (SC-107C) 47k lFeatures lInner circuit l l 1) Two DTC023J chips in a EMT6 package. 2) Transister elements are independent, eliminating

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EMH6

EMH61 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter DTr1 and DTr2 EMT6 VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 10k EMH61 R2 (SC-107C) 10k lFeatures lInner circuit l l 1) Two DTC014E chips in a EMT6 package. 2) Transister elements are independent, eliminating

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