HD1A3M Todos los transistores

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HD1A3M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HD1A3M

Código: LP

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 1 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 80

Empaquetado / Estuche: SOT89

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HD1A3M Datasheet (PDF)

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