HD1L2Q Todos los transistores

 

HD1L2Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HD1L2Q

Código: LT

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 0.47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 4.7 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 200

Empaquetado / Estuche: SOT89

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HD1L2Q Datasheet (PDF)

1.1. hd1a4m hd1f2q hd1f3p hd1l2q hd1l3n.pdf Size:514K _renesas

HD1L2Q
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To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

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