HD2A4M Todos los transistores

 

HD2A4M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HD2A4M
   Código: LD
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT89
     - Selección de transistores por parámetros

 

HD2A4M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  renesas
 hd2a3m hd2a4a hd2a4m hd2f2q hd2f3p hd2l2q hd2l3n.pdf pdf_icon

HD2A4M

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

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History: NT354 | GT403A | 3DG12 | 2SD1628G | MJ13335 | GBC109

 

 
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