LUMG2NT1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LUMG2NT1G

Código: G2

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 68

Encapsulados: SC-88A

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LUMG2NT1G datasheet

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LUMG2NT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual NPN Digital Transistor Pb-Free Package is Available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site LUMG2NT1G and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LUMG2NT1G Ordering Information Device Marking Shipping LUMG2NT1G 3000/Tape&Reel G2 S-LUMG2NT1G LUMG2NT3G 10000/Tape&Reel G2 S-LUMG2NT3G ABSO

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