PDTA113ES . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PDTA113ES
   Código: TA113E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 1 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SOT-54

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar PDTA113ES

PDTA113ES Datasheet (PDF)

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PDTA113E seriesPNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 05 2 September 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP Resistor-Equipped Transistors (RET).Table 1. Product overviewType number Package NPNcomplementNXP JEITA JEDECPDTA113EE SOT416 SC-75 - PDTC113EEPDTA113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTC113EKPDTA113EM SOT883 SC-101

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PDTA113Z seriesPNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 04 2 September 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP resistor-equipped transistors.Table 1. Product overviewType number Package NPN complementNXP JEITAPDTA113ZE SOT416 SC-75 PDTC113ZEPDTA113ZK SOT346 SC-59 PDTC113ZKPDTA113ZM SOT883 SC-101 PDTC113ZMPDTA113ZS[1

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