PDTA144WEF . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PDTA144WEF
   Código: 2E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 2.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: SOT-490

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar PDTA144WEF

PDTA144WEF Datasheet (PDF)

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTA144W seriesPNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 k, R2 = 22 kProduct data sheet 2004 Aug 05Supersedes data of 2004 Mar 23NXP Semiconductors Product data sheetPNP resistor-equipped transistors; PDTA144W seriesR1 = 47 k, R2 = 22 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D102PDTA144WUPNP resistor-equipped transistorProduct specification 1999 May 25Supersedes data of 1998 May 19Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA144WUFEATURES PINNING Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k and 22 kPIN DESCRIPTIONrespectively)1 base/input

6.2. Size:57K philips
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