RT3NFFM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3NFFM

Código: NFF

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 4.7 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: SC-88

 Búsqueda de reemplazo de RT3NFFM

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RT3NFFM datasheet

 ..1. Size:214K  isahaya
 rt3nffm.pdf pdf_icon

RT3NFFM

RT3NFFM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT3NFFM is composite transistor built with two 1.25 RT1N431 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Otros transistores... RT3N55M, RT3N66M, RT3N77M, RT3NAAM, RT3NBBM, RT3NCCM, RT3NDDM, RT3NEEM, D667, RT3NGGM, RT3NHHM, RT3NJJM, RT3NKKM, RT3NLLM, RT3NMMM, RT3NNNM, RT3NPPM