RT3P11M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RT3P11M
Código: P11
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: SC-88
Búsqueda de reemplazo de RT3P11M
RT3P11M Datasheet (PDF)
rt3p11m.pdf

RT3P11M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION RT3P11M is compound transistor built with two RT1P141 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit, interface
Otros transistores... RT3NQQM , RT3NRRM , RT3NSSM , RT3NTTM , RT3NUUM , RT3NVVM , RT3NWWM , RT3NXXM , 13007 , RT3P33M , RT3P55M , RT3P66M , RT3P77M , RT3PDDM , RT3PEEM , RT3PFFM , RT3PRRM .
History: 3DG180
History: 3DG180



Liste
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