RT3P11M Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3P11M

Código: P11

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: SC-88

 Búsqueda de reemplazo de RT3P11M

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RT3P11M datasheet

 ..1. Size:182K  isahaya
 rt3p11m.pdf pdf_icon

RT3P11M

RT3P11M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION RT3P11M is compound transistor built with two RT1P141 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit, interface

Otros transistores... RT3NQQM, RT3NRRM, RT3NSSM, RT3NTTM, RT3NUUM, RT3NVVM, RT3NWWM, RT3NXXM, C5198, RT3P33M, RT3P55M, RT3P66M, RT3P77M, RT3PDDM, RT3PEEM, RT3PFFM, RT3PRRM