RT3TBBM Todos los transistores

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RT3TBBM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3TBBM

Código: TBB

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 2.2 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 20

Empaquetado / Estuche: SC-88

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RT3TBBM Datasheet (PDF)

1.1. rt3tbbm.pdf Size:177K _upd

RT3TBBM
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PRELIMINARY RT3TBBM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit:mm RT3TBBM is compound transistor built with RT1N231 chip and RT1P231 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin

Otros transistores... RT3PRRM , RT3T11M , RT3T14M , RT3T22M , RT3T33M , RT3T66M , RT3T77M , RT3TAAM , 9013 , RT3TCCM , RT3TDDM , RT3TFFM , RT3TGGM , RT3THHM , RT3TLLM , RT3TSSM , RT3TTTM .

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