RT3TBBM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RT3TBBM
Código: TBB
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 2.2 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Empaquetado / Estuche: SC-88
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RT3TBBM
RT3TBBM Datasheet (PDF)
1.1. rt3tbbm.pdf 
Size:177K _upd
PRELIMINARY RT3TBBM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit：mm RT3TBBM is compound transistor built with RT1N231 chip and RT1P231 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin
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