RT3TBBM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3TBBM

Código: TBB

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 2.2 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: SC-88

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RT3TBBM datasheet

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RT3TBBM

PRELIMINARY RT3TBBM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3TBBM is compound transistor built with RT1N231 chip and RT1P231 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin

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