RT3TCCM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RT3TCCM
Código: TCC
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 33
Empaquetado / Estuche: SC-88
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RT3TCCM
RT3TCCM Datasheet (PDF)
1.1. rt3tccm.pdf 
Size:203K _upd
PRELIMINARY RT3TCCM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit：mm 2.1 RT3TCCM is composite transistor built with RT1N136 1.25 chip and RT1P136 chip in SC-88 package. ① ⑥ FEATURE ② ⑤ Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. ③ ④ Mini package for easy mountin
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