RT3TCCM Todos los transistores

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RT3TCCM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3TCCM

Código: TCC

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 33

Empaquetado / Estuche: SC-88

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RT3TCCM Datasheet (PDF)

1.1. rt3tccm.pdf Size:203K _upd

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PRELIMINARY RT3TCCM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit:mm 2.1 RT3TCCM is composite transistor built with RT1N136 1.25 chip and RT1P136 chip in SC-88 package. ① ⑥ FEATURE ② ⑤ Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. ③ ④ Mini package for easy mountin

Otros transistores... D32W7 , D32W8 , D32W9 , D33D1 , D33D2 , D33D21 , D33D22 , D33D23 , S9014 , D33D25 , D33D26 , D33D27 , D33D28 , D33D29 , D33D3 , D33D30 , D33D4 .

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