UNR5214 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UNR5214
Código: 8D
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SC70
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UNR5214 Datasheet (PDF)
unr521x un521x series.pdf
Transistors with built-in ResistorUNR521x Series (UN521x Series)Silicon NPN epitaxial planar typeUnit: mmFor digital circuits0.15+0.100.3+0.10.050.03 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts1 2 S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tapepacking and magazine packing(
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