UNR221M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UNR221M
Código: EL
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.047
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SC59
Búsqueda de reemplazo de UNR221M
UNR221M Datasheet (PDF)
unr221x un221x series.pdf

Transistors with built-in ResistorUNR221x Series (UN221x Series)Silicon NPN epitaxial planar transistorUnit: mm0.40+0.100.05For digital circuits0.16+0.100.063 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts.1 2 Mini type package allowing easy automatic insertion through tape(0.95) (0.95)packing
Otros transistores... UNR2217 , UNR2218 , UNR2219 , UNR221D , UNR221E , UNR221F , UNR221K , UNR221L , AC125 , UNR221N , UNR221T , UNR221V , UNR221Z , UNR5110 , UNR5111 , UNR5112 , UNR5113 .
History: LMBT5551DW1T1G | BFP720F
History: LMBT5551DW1T1G | BFP720F



Liste
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