FJP5027O Todos los transistores

 

FJP5027O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FJP5027O

Código: J5027O

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 1100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 800 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 15 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 60 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 20

Empaquetado / Estuche: TO220

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar FJP5027O

 

FJP5027O Datasheet (PDF)

3.1. fjp5027.pdf Size:59K _fairchild_semi

FJP5027O
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FJP5027 High Voltage and High Reliability • High Speed Switching • Wide SOA TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Curre

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
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