3DF1B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DF1B  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO-66

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de 3DF1B

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3DF1B datasheet

 ..1. Size:184K  inchange semiconductor
 3df1b.pdf pdf_icon

3DF1B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 3DF1B DESCRIPTION With TO-66 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE M

Otros transistores... 3DD200D, 3DD202A, 3DD202B, 3DD208, 3DD523, 3DD880, 3DD880X, 3DF1A, BC548, 3DF1C, 3DF1D, 3DF1E, 3DF1F, 3DF20A, 3DF20B, 3DF20C, 3DF20D