3DF1B Todos los transistores

 

3DF1B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DF1B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO-66
 

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3DF1B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  inchange semiconductor
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3DF1B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specificationisc Silicon NPN Power Transistor 3DF1BDESCRIPTIONWith TO-66 packagingLarge collector currentLow collector saturation voltageHigh power dissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in DC-DC converterDriver of solenoid or motorABSOLUTE M

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History: BC338P | 2SC2939 | KSC3953C | 2SC4159

 

 
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