2SA1145O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1145O
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SA1145O
2SA1145O Datasheet (PDF)
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2SA1145 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) 2SA1145 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Complementary to 2SC2705. Small Collector Output Capacitance: Cob = 2.5 pF (typ.) High Transition Frequency: fT = 200 MHz (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -150 VColl
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2SA1145 TO-92MOD Transistor (PNP)1. EMITTER TO-92MOD1 2. COLLECTOR 2 3 3. BASE Features5.8006.200 Complementary to 2SC2705 Small collector output capacitance: Cob=2.5pF(Typ.) 8.4008.800 High transition frequency: fT=200MHz(Typ.) 0.9001.1000.400MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.60013.800Symbol Parameter Value Units14.200VCBO
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isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1145DESCRIPTIONLow collector output capacitanceHigh frequencyComplement to 2SC2705Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency amplifier applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -150 VCBOV Collector-Emitte
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History: 2N1487
History: 2N1487
Liste
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