2SA1150Y Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1150Y
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 19 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 160
Encapsulados: TO92
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2SA1150Y datasheet
2sa1150.pdf
2SA1150 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1150 Low Frequency Amplifier Applications Unit mm High hFE h = 100 320 FE Complementary to 2SC2710. Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -35 V Collector-emitter voltage VCEO -30 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current I
Otros transistores... 2SA1145 , 2SA1145O , 2SA1145Y , 2SA1146 , 2SA1147 , 2SA115 , 2SA1150 , 2SA1150O , D209L , 2SA1151 , 2SA1152 , 2SA1153 , 2SA1154 , 2SA1155 , 2SA1156 , 2SA1158 , 2SA116 .
History: 2SA1133A | 2SC4562 | 2SA1126 | 2SA1147 | 2SA1145
History: 2SA1133A | 2SC4562 | 2SA1126 | 2SA1147 | 2SA1145
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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