FC1405 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FC1405 📄📄
Código: FCB
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 9 V
Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 7000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 90
Encapsulados: SOT323
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FC1405 datasheet
irfc1404.pdf
PD - 93776 IRFC1404 HEXFET Power MOSFET Die in Wafer Form D 40V Size 4.0 RDS(on)=0.0029 G 6" Wafer S Electrical Characteristics (Wafer Form) Parameter Description Guaranteed (Min/Max) Test Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 40V Min. VGS = 0V, ID = 250 A RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance 2.9m Max. VGS = 10V, ID = 45A VGS(th) Gate Threshold Vol
fc140.pdf
Ordering number EN3361 FC140 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor High-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Composite type with 2 transistors contained in the unit mm CP package currently in use, improving the mount- 2074 ing efficiency greatly. [FC140] Small output capacitance, high gain-bandwidth product. The FC140 is formed with two c
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