2SA1191 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1191
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 130 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3.2 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 400
Encapsulados: TO92
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2SA1191 datasheet
2sa1190 2sa1191.pdf
2SA1190, 2SA1191 Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SC2855 and 2SC2856 Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SA1190, 2SA1191 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SA1190 2SA1191 Unit Collector to base voltage VCBO 90 120 V Collector to emitter voltage VCEO 90 120 V Em
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History: BSV17 | 2SB999 | 2SC2464 | L8050HRLT1G | 2SB1109D | EFT320 | 2N159
History: BSV17 | 2SB999 | 2SC2464 | L8050HRLT1G | 2SB1109D | EFT320 | 2N159
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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