2SA1194K Todos los transistores

 

2SA1194K . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1194K
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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2SA1194K Datasheet (PDF)

 7.1. Size:35K  hitachi
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2SA1194K

2SA1194(K)Silicon PNP EpitaxialApplicationHigh gain amplifierOutlineTO-126 MOD231. Emitter2. Collector3. Base1231Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Rating UnitCollector to base voltage VCBO 60 VCollector to emitter voltage VCEO 60 VEmitter to base voltage VEBO 7 VCollector current IC 1 ACollector peak current IC(peak) 2 AC

 8.1. Size:105K  1
 2sa1198s 2sa1199s.pdf pdf_icon

2SA1194K

 8.2. Size:126K  toshiba
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 8.3. Size:118K  rohm
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2SA1194K

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