MMDT9015 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMDT9015

Código: TGM6

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: SOT363

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MMDT9015 datasheet

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MMDT9015

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-363 MMDT9015 TRANSISTOR (PNP) FEATURES Complementary to MMDT9014 MARKING TGM6 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -50 V V Collector-Emitter Voltage -45 V CEO V Emitter-Base Voltage -5 V EBO I Collector Curr

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MMDT9015

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors MMDT9014 DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) SOT-363 FEATURES Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available(MMDT9015) Ideal for Medium Power Amplification and Switching MARKING TGL6 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-

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MMDT9015

Plastic-Encapsulate Transistors DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) 6 FEATURES 5 4 Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available(MMDT9015 ) DW 1 2 Ideal for Medium Power Amplification and Switching 3 MARKING TGL6 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector- Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltag

Otros transistores... AD-MMBTA28, AD-MMBTA56, AD-SS8550-L, AD-SS8550-H, AD-SS8550-J, CJ2045, MMBT2222AM, MMDT9014, TIP32C, TK3904LED03, S8550L, S8550H, JZT955, 2SC3356-R25, 2SB772SQ, 2SD882SQ, H8550D