2SA1216Y Todos los transistores

 

2SA1216Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1216Y
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 180 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 17 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 500 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: MT200
 

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2SA1216Y Datasheet (PDF)

 7.1. Size:205K  jmnic
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2SA1216Y

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1216 DESCRIPTION With MT-200 package Complement to type 2SC2922 APPLICATIONS Audio and general purpose PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIO

 7.2. Size:27K  sanken-ele
 2sa1216.pdf pdf_icon

2SA1216Y

LAPT 2SA1216Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC2922)Application : Audio and General Purpose Electrical Characteristics (Ta=25C) External Dimensions MT-200 Absolute maximum ratings (Ta=25C)Symbol Ratings Unit SymboI Conditions Ratings Unit0.26.00.336.4VCBO 180 V VCBO VCB=180V 100max A0.224.42.10.1VCEO 180 V IEBO

 7.3. Size:200K  inchange semiconductor
 2sa1216.pdf pdf_icon

2SA1216Y

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA1216DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = -180V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC2922Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

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