KSE45H8 Todos los transistores

 

KSE45H8 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSE45H8
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 230 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO220

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KSE45H8 Datasheet (PDF)

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KSE45H8 KSE45H8

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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KSE45H8 KSE45H8

KSE45H SeriesGeneral Purpose Power Switching Applications Low Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = -1V (MAX)@-8A Fast Switching Speeds Complement to KSE44HTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE45H 1,2 - 3

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History: KSD2012G | QM5HG-24 | BUS13-7

 

 
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