NJVMJD31CT4G-VF01 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NJVMJD31CT4G-VF01

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: DPAK

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NJVMJD31CT4G-VF01 datasheet

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NJVMJD31CT4G-VF01

NJVMJD3xxT4G-VF01 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching www.onsemi.com applications. Features SILICON Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves POWER TRANSISTORS Straight Lead Version in Plastic Sleeves ( 1 Suffix) 3 AMPERES Lead Formed Version in 16 mm

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