NSVF6003SB6 Todos los transistores

 

NSVF6003SB6 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NSVF6003SB6
   Código: GC
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 7000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: CPH6
 

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NSVF6003SB6 Datasheet (PDF)

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NSVF6003SB6

NSVF6003SB6 RF Transistor 12 V, 150 mA, fT = 7 GHz, NPN Single This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. CPH www.onsemi.com package is suitable for use under high temperature environment because it has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. 12 V, 150 mA Features

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NSVF6003SB6

RF Transistor 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz,NPN SingleNSVF6001SB6This RF transistor is designed for low noise amplifier applications.CPH package is suitable for use under high temperature environmentwww.onsemi.combecause it has superior heat radiation characteristics. This RFtransistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive65applications.412Features3

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History: UN9110R | MJ10012T | SE6022 | 3CG790A | 2SD1239 | MPS2221R | CD9015D1

 

 
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