NSVMBT3904DW1 Todos los transistores

 

NSVMBT3904DW1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NSVMBT3904DW1
   Código: MA*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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NSVMBT3904DW1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  onsemi
 mbt3904dw1 mbt3904dw2 smbt3904dw1 nsvmbt3904dw1.pdf pdf_icon

NSVMBT3904DW1

MBT3904DW1,MBT3904DW2,SMBT3904DW1,NSVMBT3904DW1Dual General Purposewww.onsemi.comTransistorsMARKINGThe MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin-off ofDIAGRAMour popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for6general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363SOT-363/SC-88/six-leaded surface mount package. By putting two discrete de

 0.1. Size:100K  onsemi
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NSVMBT3904DW1

MBT3904DW1,MBT3904DW2,SMBT3904DW1,NSVMBT3904DW1Dual General Purposewww.onsemi.comTransistorsMARKINGThe MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin-off ofDIAGRAMour popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for6general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363SOT-363/SC-88/six-leaded surface mount package. By putting two discrete de

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History: PT2896 | SF115D | HSE3010 | CH817SGP | CV7727 | TMPTH81 | KRA726T

 

 
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