C1815L Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: C1815L
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 80 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 350
Encapsulados: SOT23
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C1815L datasheet
2sc1815l.pdf
2SC1815(L) TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC1815(L) Audio Frequency Voltage Amplifier Applications Unit mm Low Noise Amplifier Applications High breakdown voltage, high current capability V = 50 V (min), I = 150 mA (max) CEO C Excellent linearity of h FE hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA)
c1815lt1.pdf
C1815LT1 C1815LT1 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 * G Lead(Pb)-Free 1. BASE 2. EMITTER FEATURES 3. COLLECTOR Power dissipation PCM 0.2 W (Tamb=25 ) 2. 4 Collector current 1. 3 ICM 0.15 A Collector-base voltage V(BR)CBO 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg -55 to +150 Unit mm ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25 unless other
mmbtsc1815o mmbtsc1815y mmbtsc1815g mmbtsc1815l.pdf
MMBTSC1815 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into four groups O, Y, G and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor MMBTSA1015 is recommended. TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO
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