KTC4374Y Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTC4374Y

Código: EY

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 130 typ MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT89

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KTC4374Y datasheet

 ..1. Size:389K  cn shikues
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KTC4374Y

 7.1. Size:137K  jiangsu
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KTC4374Y

JJIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L KTC4374 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Small Flat Package General Purpose Application 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEB

 7.2. Size:323K  kec
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KTC4374Y

SEMICONDUCTOR KTC4374 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. FEATURES A C 1W (Mounted on Ceramic Substrate). H Small Flat Package. G Complementary to KTA1662. DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX D _ + D B 2.50 0.20 K C 1.70 MAX D 0.45+0.15/-0.10 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) F F E 4.25 MAX _ + F 1.50 0.10 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT G 0.40

 7.3. Size:389K  htsemi
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KTC4374Y

KTC4374 TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURES 1. BASE Small Flat Package General Purpose Application 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 400 mA PC Collector Power Dissipation 500 mW

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