2SC2712-L Todos los transistores

 

2SC2712-L . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC2712-L
   Código: LL
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 350
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC2712-L Datasheet (PDF)

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2SC2712-L

2SC2712NPN Transistors321.Base2.Emitter1 3.CollectorFeaturesHigh voltage and high current: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) Simplified outline(SOT-23)Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/ hFE (IC = 2 mA)= 0.95 (typ.)High hFE: hFE = 70 700Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max)Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage V

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2SC2712-L

 6.1. Size:474K  toshiba
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2SC2712-L

2SC2712Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type2SC27121. Applications Low-Frequency Amplifiers Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications AM Amplifiers2. Features(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)(2) High voltage: VCEO = 50 V(3) High collector current: IC = 150 mA (max)(4) High hFE: hFE = 70 to 700(5) Excellent h

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History: 2N4355 | 2SC2959 | MUN5116DW1T1G | 2SA909 | 2SA1480E | 2N1196

 

 
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