849CT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 849CT  📄📄 

Código: 2C

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 max pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 420

Encapsulados: SOT523

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849CT datasheet

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 846at 846bt 846ct 847at 847bt 847ct 848at 848bt 848ct 849at 849bt 849ct 850at 850bt 850ct.pdf pdf_icon

849CT

BC846T-BC850T NPN Silicon Epitaxial Transistor for switching and amplifier applications O Absolute Maximum Ratings (T = 25 C) a Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage BC846T 80 VCBO BC847T, BC850T 50 V BC848T, BC849T 30 Collector Emitter Voltage BC846T 65 VCEO BC847T, BC850T 45 V BC848T, BC849T 30 Emitter Base Voltage BC846T, BC847T 6 VEBO V BC848T, BC849T, BC850T 5

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