S9014W-H Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: S9014W-H
Código: J6
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3.5 max pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 450
Encapsulados: SOT323
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S9014W-H datasheet
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S9014W NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-323 FEATURE Complementary to S9015W A L 3 3 Top View C B 1 1 2 2 K E PACKAGING INFORMATION Weight 0.0074 g D Collector H J F G 3 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. MARKING CODE 1 A 1.
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD J C T SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors S9014W TRANSISTOR (NPN) SOT 323 FEATURES Complementary to S9015W Small Surface Mount Package MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 50 V CBO 2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 45 V CEO
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S901 4W TRANSISTOR(NPN) SOT 323 FEATURES Complementary to S9015W Small Surface Mount Package MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 50 V CBO 2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 45 V CEO 3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 5 V EBO IC Collector Current 100 mA P Collector Power Dissi
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History: 2N6206 | 2N1679
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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