2SA1141Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1141Q
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 115 V
Tensión colector-emisor (Vce): 115 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 90(typ) MHz
Capacitancia de salida (Cc): 390 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO3PN
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SA1141Q
2SA1141Q Datasheet (PDF)
2sa1141r 2sa1141q.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SA1141DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -115V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC2681APPLICATIONSAudio frequency power amplifierHigh frequency power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -115 VCBO
2sa1141.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1141 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SC2681 High transition frequency APPLICATIONS Audio frequency power amplifier High frequency power amplifier PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVC
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isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1141DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -115V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC2681Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifierHigh frequency power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA
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