MN1526O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MN1526O
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 260 V
Tensión colector-emisor (Vce): 260 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 60(typ) MHz
Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO3PN
- Selección de transistores por parámetros
MN1526O Datasheet (PDF)
mn1526r mn1526o mn1526p.pdf

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor MN1526DESCRIPTIONHigh Current CapabilityHigh Power DissipationHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 260V(Min)(BR)CEOComplement to Type MP1526APPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 150W high fidelity audio frequency amplifieroutput stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATIN
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: 2N591 | 2SC2947 | 2N1041-1 | BC231B | ECG238 | NB011EL | MJ3201
History: 2N591 | 2SC2947 | 2N1041-1 | BC231B | ECG238 | NB011EL | MJ3201



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357