MMBTRC107SS . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMBTRC107SS
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200(typ) MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: TO236
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MMBTRC107SS
MMBTRC107SS Datasheet (PDF)
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MMBTRC107SSMMBTRC109SS NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and interface circuit and drive circuit applications Collector (Output)Features R1Base(Input) With built-in bias resistors R2 Simplify circuit design Emitter Reduce a quantity of parts and (Common)TO-236 Plastic Packagemanufacturing process Resistor Values Type R1 (K)
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MMBTRC101SS ... MMBTRC106SSMMBTRC101SS ... MMBTRC106SSSurface Mount Bias Resistor TransistorsNPN NPNSMD Transistoren mit EingangsspannungsteilerVersion 2011-02-10Power dissipation Verlustleistung 200 mW 0.11.1 2.9Plastic case SOT-230.4 3Kunststoffgehuse (TO-236)TypeWeight approx. Gewicht ca. 0.01 gCode1 2Plastic material has UL classification 94V-
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MMBTRC116SS ... MMBTRC121SSMMBTRC116SS ... MMBTRC121SSSurface Mount Bias Resistor TransistorsNPN NPNSMD Transistoren mit EingangsspannungsteilerVersion 2011-02-28Power dissipation Verlustleistung 200 mW 0.11.1 2.9Plastic case SOT-230.4 3Kunststoffgehuse (TO-236)TypeWeight approx. Gewicht ca. 0.01 gCode1 2Plastic material has UL classification 94V-
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: 2N4398 | DMC506E2
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050