2SC3356-SF3-R-R Todos los transistores

 

2SC3356-SF3-R-R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC3356-SF3-R-R
   Código: 25_24_23
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 7000(typ) MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: SOT523

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2SC3356-SF3-R-R Datasheet (PDF)

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2SC3356 (NPN) High-Frequency Amplifier Transistor 1TO-92 3FEATURES 2* SOT231Low noise and high gain. NF=1.1dB Typ. f=1.0 GHz Ga=11dB Typ.@Vce=10V,Ic=7mA3* High power gain. 21MAG=13dB Typ.@Vce=10V,Ic=20mAf=1.0 GHz SOT-23-3L321SOT-5231:B 2:E 3:C

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2SC3356-SF3-R-R 2SC3356-SF3-R-R

2SC3356-R25Silicon Epitaxial Planar Transistor Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SC3356-R25 FEATURES Low noise and high gain. NF=1.1dB TYP.,Ga=11dB TYP. @VCE=10V,IC=7mA, f=1.0GHz High power gain. MAG=13dB TYP. @VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz. APPLICATIONS SOT-23 Designed for low noise amplifier at VHF,UHF and CATV band. ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package C

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2SC3356-SF3-R-R 2SC3356-SF3-R-R

2SC3356NPN Transistors3Features2Low noise and high gain.1. GateNF = 1.1 dB Typ., Ga = 11 dB Typ. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz2. Source13. DrainHigh power gain.MAG = 13 dB Typ. @VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz Simplified outline(SOT23)Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector to base voltage VCBO 20 VCollector to emitter

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
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