MMBT3906-L Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMBT3906-L
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 300 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: SOT23
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MMBT3906-L datasheet
mmbt3906-l mmbt3906-h.pdf
Jingdao Microelectronics co.LTD MMBT3906 MMBT3906 SOT-23 PNP TRANSISTOR 3 FEATURES As complementary type, the NPN transistor MMBT3904 is Recommended Epitaxial planar die construction 1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2 Symbol Parameter Value Unit 1.BASE Collector Base Voltage VCBO -40 V 2.EMIT
mmbt3906-d.pdf
SMD Type Transistors PNP Transistors (KMBT3906-D) MMBT3906-D SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features 1 2 Complementary to MMBT3904-D +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 Marking 2A 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -40 Collector - Emitter Voltage
mmbt3906-g.pdf
General Purpose Transistor MMBT3906-G (PNP) RoHS Device Features SOT-23 -Epitaxial planar die construction 0.119 (3.00) 0.110 (2.80) -As complementary type, the NPN 3 0.056 (1.40) transistor MMBT3904-G is recommended 0.047 (1.20) 1 2 Collector 0.079 (2.00) 0.006 (0.15) 3 0.003 (0.08) 0.071 (1.80) 0.041 (1.05) 0.100 (2.55) 0.035 (0.90) 0.089 (2.25) 1 Base 0.004 (0.10) m
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History: MMBT5551H
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Liste
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