S9013-J Todos los transistores

 

S9013-J . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: S9013-J
   Código: J3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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S9013-J Datasheet (PDF)

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S9013-J

S9013NPN Transistors321.BaseFeatures2.Emitter1 3.CollectorExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.5A Simplified outline(SOT-23)Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector - Base Voltage VCBO 40 VCollector - Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter - Base Voltage VEBO 5 VCollector Current - Continuous IC 500 mACollector Power Dissipat

 ..2. Size:885K  cn salltech
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S9013-J

Jingdao Microelectronics co.LTDS9013General Purpose TransistorNPN SiliconFEATURES High Collector Current. Complementary to S9012. Excellent hFE Linearity.SOT-23 3COLLECTOOR31DEVICE MARKINGBASES9013 = J312EMITTER2MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 25 VdcC

 ..4. Size:471K  cn yfw
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S9013-J

S9013 SOT-23 NPN Transistors32 1.BaseFeatures2.Emitter1 3.Collector Excellent hFE linearityCollector Current :IC=0.5A Simplified outline(SOT-23) Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector - Base Voltage VCBO 40 VCollector - Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter - Base Voltage VEBO 5 VCollector Current - Continuous IC 500 mACollector Pow

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History: 2SA896 | CD0014N | 2SD1029 | 2SA393 | 2SB1412-P | KT879A | 2SC995

 

 
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