S9015-H Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: S9015-H

Código: M6

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 450

Encapsulados: SOT23

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S9015-H datasheet

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S9015-H

S9015 PNP Transistors 3 2 1.Base Features 2.Emitter 1 3.Collector Complementary to S9014 Simplified outline(SOT-23) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -45 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collector Current -Continuous IC -0.1 A Collector Power Dissipation PC 0.2 W Junction Temperature

 ..2. Size:785K  cn shandong jingdao microelectronics
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S9015-H

Jingdao Microelectronics co.LTD S9015 General Purpose Transistor PNP Silicon FEATURES Complementary to S9014 SOT-23 3 COLLECTOOR 3 1 DEVICE MARKING BASE S9015 = M6 1 2 EMITTER 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO -45 Vdc Collector Base Voltage VCBO -50 Vdc Emitter Base Voltag

 ..3. Size:459K  cn yfw
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S9015-H

S9015 SOT-23 PNP Transistors 3 2 1.Base Features 2.Emitter 1 3.Collector Complementary to S9014 Simplified outline(SOT-23) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -45 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collector Current -Continuous IC -0.1 A Collector Power Dissipation PC 0.2 W Junction Te

 0.1. Size:185K  mcc
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S9015-H

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