2SA1293O Todos los transistores

 

2SA1293O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1293O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SA1293O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:229K  toshiba
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2SA1293O

 7.2. Size:264K  jmnic
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2SA1293O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1293 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC3258 Low collector saturation voltage High speed switching time APPLICATIONS High current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 Bas

 7.3. Size:218K  inchange semiconductor
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2SA1293O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1293DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max.)@I = -3ACE(sat) CFast Switching SpeedComplement to Type 2SC3258Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VAL

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