2SA1293Y Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1293Y
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 30 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: TO220
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2SA1293Y datasheet
2sa1293.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1293 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC3258 Low collector saturation voltage High speed switching time APPLICATIONS High current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 Bas
2sa1293.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1293 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.4V(Max.)@I = -3A CE(sat) C Fast Switching Speed Complement to Type 2SC3258 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VAL
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History: ECG80
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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